隨著現代科技發展，半導體的需求逐年增高，傳統的矽基半導體會走向高移動率的 SiGe 通道電晶體，缺陷會大幅上升，影響電子元件性能。
除此之外， 寬能隙半導體應用發展也越來越多元，如光電元件、功率元件及通訊射頻元件等。但寬能隙半導體元件(SiC、GaN)在磊晶或製程過程中材料容易產生缺陷，造成元件性能下降與可靠度變差。因此急需解決缺陷問題的方法。  電子元件內的缺陷產生原因主要有三大類，
包括： (1)塊材缺陷、 (2)介面缺陷、 (3)元件製程產生的缺陷。
本團隊獨創的低溫缺陷鈍化技術-超臨界流體技術，可在低溫(RT~250 oC)下可有效鈍化半導體元件內的缺陷，提升元件性能與可靠度。 

講者：國立中山大學物理系 張鼎張 講座教授

日期：2023/11/17 Fri.
時間：13:00-15:00
地點：機械系 三星講堂
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